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无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产

时间:2017-11-18 14:07:07  作者:admin  来源:二极管模块  浏览:87  评论:0
内容摘要:  日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开始SiC-MOS模块(额定1200V/180A)的量产。  内置的SiC-MOSFET通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造,成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的各种课题。&...

  日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开始SiC-MOS模块(额定1200V/180A)的量产。

  内置的SiC-MOSFET通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造,成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的各种课题。

  由此,与逆变器中使用的一般Si-IGBT相比,损耗降低50%以上,在实现更低损耗的同时,还实现了50kHz以上的更高频率,有利于外围元件的小型化。

  即使去掉SBD亦可实现与以往产品同等的开关特性。由于不会产生Si-IGBT中常见的尾电流,损耗可降低50%以上,有助于设备更加节能。另外,达到了Si-IGBT无法达到的50kHz以上的开关频率,因此,还可实现外围设备的小型化、轻量化。

无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产

  一般Si-IGBT元件无法逆向导通,而SiC-MOSFET可通过体二极管实现常时逆向导通。另外,通过输入栅极信号,还可实现MOSFET的逆向导通,与二极管相比,可实现更低电阻。通过这些逆向导通特性,与二极管整流方式相比,可在1000V以上的范围采用高效同步整流方式的技术。

  罗姆究明了体二极管通电的缺陷扩大机理,通过工艺、元件结构成功控制了产生劣化的因素。一般产品通电时间超过20小时导通电阻就会大幅增加,但本产品通电时间达1000小时以上导通电阻也不会增大。


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